Neuer Laser für ComputerchipsGermanium-Zinn-Halbleiterlaser für Siliciumchips
Wissenschaftler des Forschungszentrums Jülich und des Schweizer Paul Scherrer Instituts haben gemeinsam mit internationalen Partnern den ersten Halbleiterlaser vorgestellt, der ausschließlich aus Elementen der vierten Hauptgruppe besteht.
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Schematischer Aufbau des Germanium-Zinn-(GeSn-)Lasers, der mittels einer Zwischenschicht aus reinem Germanium (orange) direkt auf dem Silicium-Wafer (blau) aufgebracht wird. (Bild: Forschungszentrum Jülich)