Einfacher, präziser, flexibler

Präziser

Das LEXT OLS3100 bietet eine große Auswahl an präzisen Mess- und Analysefunktionen für nahezu alle Anforderungen. Das leistungsstarke LEXT Display gibt aufgenommene Bilder in perfekter 3D-Ansicht wieder. Extrem präzise Messungen, eine exzellente Wiederholbarkeit sowie hochentwickelte Untersuchungsmethoden für Rauigkeits- und Partikelanalysen eröffnen dem Anwender eine neue Dimension der Mikroskopie. Die innovative 3D-Darstellung ermöglicht die Messung von Stufenhöhen, Linienstärken und des Abstands zwischen zwei Punkten innerhalb eines 3D-Bilds. Darüber hinaus profitieren die Anwender von einer Vielzahl herkömmlicher und neuartiger 3D-Bilddarstellungen – inklusive Oberflächenstruktur, Echtfarbe und Netzgitter.

Kontrollierbarer

Ein weiteres neues Leistungsmerkmal des LEXT OLS3100 ist das Navigationsinstrument zur 3D-Bildsteuerung. Mit Hilfe der Maus lässt sich das 3D-Bild ganz einfach drehen und bewegen. Darüber hinaus kann mit dem Mausrad das Bild ohne jeglichen Qualitätsverlust in 100 verschiedenen Stufen skaliert werden. Für einen besseren Kontrast der Probe und eine einfachere Beobachtung ist zudem die Hintergrundfarbe veränderbar.

Beobachtungen durch Silicium bei hoher Auflösung

Die Halbleiter-Packaging-Technologie wird mit der Nachfrage nach immer dünneren und kleineren elektronischen Bauteilen zunehmend anspruchsvoller. Das bedeutet, dass aufgrund ihrer Kompaktheit und Komplexität viele Bereiche mit den Methoden der gewöhnlichen Lichtmikroskopie nicht mehr geprüft oder analysiert werden können, ohne die Probe dabei zu zerstören. Mit dem LEXT OLS3000IR und seiner präzise kontrollierbaren Nah-Infrarotbeleuchtung können dagegen – bei höchstmöglicher Auflösung und Vergrößerung – SiP (System in Package), 3D-Montage, CSP (Chip Size Package) und andere Bereiche zerstörungsfrei untersucht und analysiert werden. Weitere Beispiele für die Flexibilität des LEXT OLS3000 IR sind:

Fehleranalyse bei der Flip-Chip-Montage:

Nach der Verbindung (dem sogenannten Bonding) von Mikrochip und Chipgehäuse ist eine Untersuchung des entstandenen Aufbaus mit sichtbarem Licht nicht mehr möglich. Dagegen ist der Siliciumchip unter Infrarotlicht transparent, so dass sich das Innere des Chips zerstörungsfrei untersuchen lässt. Für eine Fehleranalyse braucht das Bauteil lediglich unter das LEXT OLS3100IR gelegt zu werden.

Schadensanalyse bei Chips:

Mit dem LEXT OLS3100IR lassen sich Veränderungen an den Chipelementen während Hitze- und Feuchtigkeitstests ohne Zerstörung untersuchen. So können beispielsweise aufgrund des Schmelzens und der Korrosion von Kupferkabeln entstehende Lecks oder das Abblättern des Gehäuseharzes etc. problemlos beobachtet werden.

Abstandsmessung bei Chips:

Wenn Infrarotlicht das Siliciumgehäuse passiert und zwischen Chip und Interposer fokussiert wird, kann der Abstand zwischen beiden anhand der Bewegung des Objektivs dreidimensional gemessen werden. Dieselbe Methode kommt bei der Messung von Hauptmerkmalen mikro-elektronisch-mechanischer Systeme (MEMS) zum Einsatz.

Optik

Für Oberflächenmessungen werden im LEXT OLS3100 speziell für konfokale Laser-Scanning-Mikroskope (cLSM) entwickelte apochromatische Objektivlinsen zusammen mit Laserlicht im UV-nahen Bereich (408 nm) eingesetzt. Sie garantieren Beobachtungen von höchster Qualität und Messgenauigkeit bei hohen Vergrößerungen. Für Untersuchungen durch Silicium hindurch verwendet das LEXT OLS3100IR SI-korrigierte Objektive, die speziell für konfokale Laser-Scanning-Mikroskope (cLSM) mit leistungsstarkem Laserlicht im IR-nahen (1300 nm) Bereich entwickelt wurden. Dadurch werden Auflösungen von 0,55 µm L&S (Line and Space) für überaus exakte Abbildungen möglich.