Datenspeicher der ZukunftMit Graphen zur optimierten Speicherzelle
Resistive Speicherzellen, kurz ReRAM, gelten als vielversprechende Kandidaten für die Datenspeicher der Zukunft. Der nichtflüchtige Speichertyp schreibt und liest Informationen tausendmal schneller als Flash-Speicher, zugleich benötigt er deutlich weniger Energie
Durch den Einsatz von Graphen wollen Jülicher Wissenschaftler gemeinsam mit Partnern in Griechenland die Langzeit-Stabilität und Haltbarkeit der Speicherzellen verbessern. Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) fördert das Vorhaben G-ReRAM mit 200000 Euro. (Bild: Forschungszentrum Jülich)

