Datenspeicher der ZukunftMit Graphen zur optimierten Speicherzelle
Resistive Speicherzellen, kurz ReRAM, gelten als vielversprechende Kandidaten für die Datenspeicher der Zukunft. Der nichtflüchtige Speichertyp schreibt und liest Informationen tausendmal schneller als Flash-Speicher, zugleich benötigt er deutlich weniger Energie
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Thomas Rachel (MdB) übergibt den Zuwendungsbescheid für das Projekt G-ReRAM an Prof. Rainer Waser (links) und Dr. Ilia Valov (rechts). (Bild: Forschungszentrum Jülich)