HalbleiterforschungAluminiumnitrid-Wafer für die Zukunft der Hochleistungselektronik
Drei führende Akteure der Halbleiterforschung und -entwicklung bündeln ihre Expertise in einem Projekt zur Skalierung der Aluminiumnitrid (AlN)-Kristallzüchtung. Ziel ist die Entwicklung von 4-Zoll-AlN-Wafern als Grundlage für Anwendungen in der Hochleistungselektronik und der UV-Photonik.
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Drei führende Akteure der Halbleiterforschung und -entwicklung bündeln ihre Expertise in einem Projekt zur Skalierung der Aluminiumnitrid (AlN)-Kristallzüchtung. Ziel ist die Entwicklung von 4-Zoll-AlN-Wafern als Grundlage für Anwendungen in der Hochleistungselektronik und der UV-Photonik.